→ ALD is based on the sequential use of a gas phase
chemical process. ALD film growth is self-limited and
based on surface reactions, which makes achieving
atomic scale deposition control possible.
☞ Self-limited growth
☞ Atomic scale deposition
☞ Easy way to produce
uniform, crystalline,
high quality thin films.
-결정성 평가
-FWHM (Full wi
➀ 황달
-혈청내 빌리루빈 수준이 2∼2.5mg/dL 이상일 경우
-간의 흡수장애, 빌리루빈 결합의 손상, 담도계의 빌리루빈 배설장애는 혈청 내 빌리루빈을 증가시켜 황달을 일으킨다.
➀-a. 간세포성 황달
-간세포의 병변으로 혈액 속에 있는 정상 수준의 빌리루빈을 걸러내지 못해 생긴다. 간세포성
반도체 공정에서의 박막증착공정의 중요성과 박막의 조건
반도체 공업은 현재의 전자 및 정보화 사회를 주도하고 있는 공업으로서 1960년대 집적회로(Integrated Circuit)가 개발된 이래 계속적으로 비약적인 성장을 거듭하면서 과거의 산업혁명에 버금가는 전자혁명시대를 이끌고 있다. 반도체 공업은 1
화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법
물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법
-Atomic Layer Deposition(ALD)
The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O