SiC 조성의 contact의 경우 300°C에서 2500시간 동안 anneal과정을 거치더라도 metal층인 gold와 contact층인 Nichrome 층간에 diffusion이 일어나지 않고 안정해 diffusion barrier가 요구되지 않는다. 또한, NiCr을 contact layer로 사용할 경우 Si층과 Au층을 direct wire bonding을 하였을 때의 속도에 거의 100% 근접하는 특성을 보인다.
amorphous)형 구조로 나눌 수 있다.
결정형의 물질은 특정한 배열을 가진 원자가 계속적으로 반복되는 규칙적인 구조를 가지며 비결정형의 물질은 유리(glass)와 같이 아무런 배열의 규칙이 없는 구조를 가지고 있는 물질을 말한다. 결정형의 물질은 다시 단결정(single crystal)과 다결정(poly-crystal) 구조로 나
amorphous)의 것도 주목을 받고 있다.
반도체는 흔히 단어 그대로 전기가 반쯤 통하는 물질로 알려져 있지만 실제로는 좀더 복잡한 내용을 포함하고 있다. 일반적으로 고체 상태의 물질은 도전율 (Electrical Conductives) 에 의해 구분된다. 도전율이라는 것은 쉽게 말해서 '전기의 흐르는 양'이다. 이 도전율에
1. What is a thin film?
thin film(박막)이란?
박막은 나노미터에서 마이크로미터 두께까지의 범위를 포함하는 얇은 물질 층이라고 할 수 있다. 전자기적 반도체 장치와 광학적 코팅은 박막기술의 주된 적용 범위라 할 수 있다. 주변에서 쉽게 볼 수 있는 박막기술을 이용해 만든 것은 ‘거울’인데 이것은
서 ③.
Si wafer에 Thermal&E-beam Evaporator를 이용해 SiO2를 증착시킨다. 이 때 E-beam을 이용하게 되고 PVD(Physical Vapor Deposition)증착법을 사용하기 때문에 내부는 진공상태를 유지한 채 증착을 시킨다. Thermal&E-beam Evaporator에는 E-beam과 Thermal 방법이 있는데 고융점 재료에 E-beam을 이용하게 된다.
★진공을 뽑아 주