화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법
물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법
-Atomic Layer Deposition(ALD)
The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O
Advantage
① 낮은 성장률을 가지면서 높은 질의 epilayer을 생성
② 다양한 dopant 성분을 흡착이 가능하고, 복잡한 구조를
가진 다양한 layer를 생성
Disadvantage
① 고진공으로 인한 작동비용이 높음
② source material 교체로 인한 chamber 내부의 오염
③ As와 P이 포함되어 있는 alloy의 성장 제한
WHAT IS THIN FILM?
KIST Definition (1991)
- Thin Film : 기판층(substrate layer)에 형성된 수 m 이하의 두께를
갖는 것으로 독립적인 기능을 보유한 막.
ADVANTAGES OF THIN FILM
Complexibility and Accumulations
Easy processing
lm)
Easy Control of Thermal, Mechanical and Chemical Properties
Down the Cost of Production
High-Reliance
WHAT IS cvd?
Principle of cvd
layer, it causes entire curve of graph to shift to the [Figure 12] C-V graph shift by direction of bias
side. These charges are generated by ions came in the process of deposition of oxide layer. When the charges exist in between the substrate and interface, the value of Vfb and C-V curve will shift by amount of the charge divided by Cox of Ci. The amount of shifting decreases as the position of