시편의 녹는점에 가까운 온도로 가열했을 때 가루가 서로 접한 면에서 접합이 이루어지거나 일부가 증착하여 서로 연결되어 한 덩어리가 된다
BN(Boron Nitride) Spray로 시편의 표면을 코팅한다
흑연 통에 시편을 넣고 소결로에 넣는다
소결로를 닫고 진공상태로 만든 후 시편을 각각 850℃,95
Diffusion Ion Implantation
Inexpensive equipment
• One process/furnace tube
• Uniformity ± 5-10%
• Need hard mask (SiO2 or Si3N4)
• Thermodynamically controlled
• Dopants electrically active
Very expensive equipment
• Multiple processes per tool
– mass separation
• Uniformity ± 1%
• Room temperature t
Introduction
Energy Issues
에너지 자원의 고갈
환경 오염 심화
에너지 수입국
기술 변동 추이
태
양
전
지
실리콘
화합물
적측형
기 타
Bulk
박 막
단 결 정
비 정 질
GaAs
CuInSe2
A-Si / CIS
Dye
다 결 정
미 결 정
InP
CdTe
GaAs / Ge
Polymer
다 결 정
Nano
High-K material의 필요성
Thin SiO2의 문제점
게이트 유전막을 통한 boron penetration
20Å 미만의 두께에서
leakage current 발생
poly-si depletion effect
해결
SiO2에 비해 큰 유전상수
물리적 두께 증가
전자의 터널링 억제
Motivation
High Density
- More transistors onto a smaller chip
- Cost effective from