breakdownvoltage와 SILC(stress induced leakage current), 우리조의 변수에 annealing 처리가 들어있지 않았던 것, 그리고 마지막으로 표피 효과이다.
(1)breakdownvoltage
유전물질은 전하의 흐름을 막는 성질이 있는 물질이다. 유전물질과 일반 전도물질의 차이는 전도물질에는 자유전자가 있어 전자가 자유롭게 움직
3.1.1. 이상적인 MOS Capacitor
실제로 MOS Capacitor가 받는 표면효과는 매우 복잡하다. 이상적인 MOS Capacitor는 이런 표면효과를 무시한 것이다. 이런 MOS Capacitor는 변형된 일함수 을 사용하는 것이 편리하다. 일함수 이란 금속의 페르미 준위부터 산화물의 전도 대역까지의 크기를 말한다. 이 때 페르미 준위
9. n-type Semiconductor에서 온도에 따른 Carrier 농도 변화
매우 낮은 온도에서는 intrinsic EHP가 거의 존재하지 않는다. 온도가 증가함에 따라 도너의 전자들이 Conduct band로 옮겨지고 약 100K에서 모든 도너 원자가 이온화되는 과정이 발생한다. 이후 ni가 Nd와 비등해 질 때까지(intrinsic carrier 농도가 도너 농도와
breakdownvoltage)을 제조공정에서 구조의 기하학적 제어와 불순물 첨가 등에 의하여 예측할 수 있는 어떤 특정값이 되도록 제조된 다이오드이다. 다이오드에서 역방향 바이어스 전압을 계속 증가시키면 항복현상이 일어나는데, 이것은 다음 두 가지의 고체 역학적 작용에 의하여 생긴다. 첫째로, 공핍층
1. What’s HEMT?
- High electron mobility with heterojunction structure
(Prevent Coulomb scattering with no doping materials)
- High thermal stability
- High Breakdownvoltage
2. 2DEG
- Discontinuity through the conduction band of the two semiconductors determines a charge transfer,
creating a triangular potential.
3. Polarization
- AlGaN/GaN HEMTs tra