3. Requirements of EUV resist
EUV is highly absorbed by all materials, even EUV optical components inside the lithography tool are susceptible to damage, mainly manifest as observable ablation. Such damage that is associated with the high-energy process of generating EUV radiation is a new concern specific to EUV lithography .
EUVL's shorter wavelength also increases flare, resulting in less
가공이 필요해 비싼 가격이 문제가 된다. 또한 일정 이상의 두께가 요구되어 부피가 커지고, 대량생산의 어려움등의 단점을 가진다. 이런 graphite 재료의 대체를 위해 , 고분자 복합체를 이용한 bipolar plate의 제작 연구가 필요하다.
c. Polymer composite bipolar plate를 사용할 때에 GDL과의 contact resistance를
니크롬선과 철크롬선의 성분
품종
Ni
Cr
Al
Mn
C
Fe
기타
니크롬 제 1종
77~81
17~21
2.0이하
0.15이하
1.5이하
2.0이하
니크롬 제 2종
63~67
15~18
2.5이하
0.20이하
나머지
2.0이하
철크롬 제 1종
23~25
4~6
1.0이하
0.10이하
나머지
3.0이하
철크롬 제 2종
18~20
2~4
1.0이하
0.10이하
나머지
3.0이하
Cr이 많은수록 유리하고 일정 강도에서는 탄소함유량이 많을수록
유리하다.
Ferrite를 경화하는 것 보다 Pearlite가 유리하다
탄화물이 많을수록 유리하다
경도가 동일하다면 Martensite < Pearlite < 고탄화물계가 양호하다
조대한 초정 탄화물은 불리하다.
b. 입자의 영향
abrasive마모에서 입자의 경