어떻게?
① Metal을 이용
☞ ContactResistance ↓, but Transmittance ↓
② Graphene을 이용
☞ Transmittance ↑, but ContactResistance ↑
③ Metal/Graphene layer를 이용
☞ Transmittance ↑, ContactResistance ↓
④ Patterned metal + Graphene을 이용 !! ↕:Good
☞ Transmittance ↑↑, ContactResistance ↓↓ ↕: Bad
We investigated graphene-based transparent electrodes for InGaN/GaN light emitting diodes(LED). Nano-dotted layer of Ag and Ni were inserted between p-GaN and graphene to achieve low contactresistance and high transmittance. Heat treated Ag layer/graphene had low contactresistance of 0.7~1.2Ω/cm2, and we could achieve better luminance for GaN-based LED. However, for patterned Ni layer/graphene
가공이 필요해 비싼 가격이 문제가 된다. 또한 일정 이상의 두께가 요구되어 부피가 커지고, 대량생산의 어려움등의 단점을 가진다. 이런 graphite 재료의 대체를 위해 , 고분자 복합체를 이용한 bipolar plate의 제작 연구가 필요하다.
c. Polymer composite bipolar plate를 사용할 때에 GDL과의 contactresistance를
resist blur(diffusion length) has to be reduces to at least 5nm.
Third, It is important to get good adhesion between photo-resist and silicon wafer. The smaller the pattern size is, the slimmer the thickness of resist coating on silicon wafer is. As a results, because of bad contact, photo-resist can be strip from silicon wafer after patterning(strip phenomenon). To improve this problem, there
2.2. Ni/Cu/Ag 전극 형성
- Electroless Ni plating & sintering
먼저 산화막을 mask로 사용하는 pattern위에 Ni film을 형성하기 위해 무전해 Ni 도금법을 사용하였다. Ni 무전해 도금법은 실리콘 기판 위에 Ohmic contact을 만들기 위한 저가의 방법으로 차아인산나트륨을 환원제로 사용하는 화학환원도금법이다.
화학반