Chapter 21 기계 가공의 기초
21.1 서론
? 절삭공정
: 칩의 생성에 의해서 공작물의 다양한 표면으로부터 재료를 제거하는 것
? 절삭공정의 종류
1. 선삭 (turning) - 공작물이 회전, 절삭 공구가 횡축 방향 이동
2. 절단 (cutting off) - 공구가 반경 방향으로 이동, 가공물 오른쪽 부분 분리 절단
3. 평밀링 (slab
1980년대 말 미국 IBM은 기계적 제거가공과 화학적인 제거가공을 하나의 가공 방법으로 혼합한 CMP(Chemical Mechanical Polishing)라는 새로운 연마공정을 개발
CMP는 PECVD와 RIE 공정과 함께 submicron scale의 칩 제조에 있어서 반드시 필요한 공정
ILD(Interlayer Dielectric ; 층간절연막) CMP와 metal CMP는 디바이스 층의
Cu 소결 온도 (500℃, 700℃, 900℃)
2. 실험 원리 및 과정
1) 기계적 결합 : '볼밀링'법으로 준비된 구리 분말을 몰드에 넣고 분말의 고른 분포를 위해 Tapping후에 압축력 300Mpa로 열처리 전 1차적으로 기계적 결합과정을 거친다. 기계적 결합은 화학적 결합에 비해서 결합력이 약하다.
* 일축 가압 성
구리의 화학적 성질
구리는 상온의 건조한 공기 중에서는 그 표면이 변화하지 않으나, 장기간 대기 중에 방치하면 CO₂,SO₂ 및 수분 등과 반응하여 표면에 녹색의 염기성 탄산동[CuCO₃·Cu(OH)₂]이나 염기성 황산동[CuSO₄·Cu(OH)₂]등이 형성된다. 이 부식 생성물은 어느 정도 부식속도를 감소시키는 보호