deposition
Good economy and process control
A great variety of chemical compositions
High step coverage
Selective deposition
AdvantageS of CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- High Purity Thin Film
- influenced by various factors
Metal-Organic CVD(MOCVD)
- Metal-Organic compound
- High reproducibility
- Low-Temperatu
PE CVD
PE CVD공정은 Plasma etching 이 사용되기 이전부터 반도체 금속배선의 보호막인 SiN과 SiO2를 저온에서 증착할 수 있는 새로운 생성원으로 소개
PE CVD기술은 SiO2와 SiN 박막 형성 뿐만 아니라 최근에는 천이금속이나 천이금속 실리사이드 형성에도 널리 사용
PE CVD의 박막 형성 mechanism
Plasma 에서 이
[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
○ PECVD
∙ What is PECVD?
⇒ Radio frequency(RF) is used to induce plasma in the deposition gas.
⇒ This results in a higher deposition rate at relatively low temperatures.
⇒ With the plasma enhanced CVD process is the deposition at temperature around 300℃ allows.
⇒ The temperature will be through encouragement of a plasma with high frequency electric fields triggered.
③ PVD(Physical Vapor Deposition)
PVD는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체 상태가 고체 상태로 바뀌는 물리적인 변화를 이용한 방법을 말한다. 다른 증착법과는 다르게 저온에서 간단히 박막을 증착할 수 있는데, 다음과 같이 여러 증착법이 있다.
스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법 (E-beam evapora