에너지대역(indirect energy band gap)을 가지며 화합물 반도체는 직접에너지대역(direct energy band gap) 물질이 주류를 이루고 있다는 점에서 구분이 되기도 한다.
직접에너지대역을 가지는 화합물 반도체는 전자가 금지대를 통해 전이(transition)하면서 변화되는 에너지가 직접 빛 에너지로 나타날 수 있기 때문
에너지 밴드 다이어그램 >
위의 왼쪽 그림은 AlGaAs-GaAs구조에 만들어진 HEMT소자의 단면을 보여주고 있다. 위의 오른쪽 그림은 게이트에 수직 방향으로의 에너지 밴드 다이어그램을 보여준다. 이종 접합이 형성될 때, 전도대 가장자리 에 불연속이 생긴다. 이것은 MOSFET에서 반도체와 산화막 사이의 에
적층함으로써 광 흡수 대역을 Fig. 1-3b와 같이 넓힐 수 있다. 2세대 태양전지는 MOCVD와 MBE 같은 박막 증착 장비의 발달로 인하여 III-V 화합물 반도체 분야에서 빠르게 발전하고 있다. III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실
에너지 효율, 환경 친화적 재질로 건설, 건설 폐기물의 재활용, 높은 실내 환경 수준 등의 까다로운 기준에 부합되어야 한다.
우리나라의 학생회관과도 같은 건물인 University Memorial Center(UMC)는 CU Recycling 으로 silver grade 를 받은 건물이기도 하다. 모든 쓰레기들은 분리수거를 하게 되어있고, 재활용도가
직접 맞닿아 있는 시스
템으로 수분 관리, 촉매 층의 수분 범람 또는 느린 산소 환원 반응 등에 대한 문제가 없다. 반면 고온에서의 동작에 필요한 열적, 화학적 안정성을 가진 물질을 찾는 것이 쉽지 않다. 고체 산화물 연료전지의 형태에 따른 장단점이 있는데 관모양의 셀은 평면형 셀에 비해 밀폐가