9. n-type Semiconductor에서 온도에 따른 Carrier 농도 변화
매우 낮은 온도에서는 intrinsic EHP가 거의 존재하지 않는다. 온도가 증가함에 따라 도너의 전자들이 Conduct band로 옮겨지고 약 100K에서 모든 도너 원자가 이온화되는 과정이 발생한다. 이후 ni가 Nd와 비등해 질 때까지(intrinsic carrier 농도가 도너 농도와
CAVITY
일정한 속도의 액체가 면적이 작은 부위(수축부 Vena Contracta)를 지날 때 유체의 속도(V)는 빨라지고 압력(P)은 떨어진다, 이때 액체압력이 그 액체의 증기압(Pv)보다 낮아지면 기포가 발생 Vapor 상태가 되는데 이것을 Cavity라 한다. 이 기포는 다시 압력이 상승함에 따라서 밸브Trim 이나 Body 내벽에서
To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latent heat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm