자유 전자가 drain쪽으로 이동하도록 한다.
즉, 전류는 source 쪽으로 흐른다.
Gate 는 ,P형 반도체로 이루어 지며 , P-N 접합이 형성된다. 이때 P-N 접합은 반드시 역방향 바이어스(reverse bias)가 되어야 한다.
순방향 바이어스(forward bias)가 되면 전류가 흐르므로 전계효과 FET 소자로서 기능을 갖지 못한다.
트랜지스터의 동작 및 기능
-트랜지스터는 기본적으로 전류를 증폭할 수 있는 부품. 디지털 회로에서는 ON 또는 OFF의 신호만 받기 때문에 트랜지스터의 증폭 특성의 차이는 문제가 되지 않는다. 회로 기능은 대부분이 IC로 처리하는 경우가 많다. 회로 기호는 PNP 타입, NPN 타입으로 표시한다. PNP타입과 NP
1. 목 적
JFET의 드레인 전류에 대한 드레인-소스 전압 효과와 게이트-소스 효과 드레인 전류와 게이트-소스 전압의 특성 및 상호간의 관계를 이해한다
2. 이 론
(1) FET의 장점
1. FET는 높은 입력 임피던스를 갖는 전압에 민감한 소자이다. BJTDP 비하여 현저히 높은 입력 임피던 스 때문에 다단 증폭기의 입
그림13-2는 정상적으로 bias된 JFET를 나타낸다. BJT에서는 베이스-에미터간에는 순방향으로 bias 되는데 반하여 JFET에서는 반드시 역방향으로 bias 된다는 사실이 다르다.
그림13-2에서 Gate는 Source와 Drain에 대해 역방향으로 bias되기 때문에 n-type 반도체의 전하운반자는 Gate에 대해 먼쪽으로 이동하게 된다. 그
FET(Field Effect Transistor)는 전계 효과 트랜지스터라 불리는 Tr로 BJT와 기본적인 증폭 및 스위칭 동작은 유사하다.
FET는 BJT의 메이터, 콜렉터, 베이스와 유사하게 소스, 드레인, 게이트단을 갖고 있으며 게이트단에 가해주는 전압의 레벨에 따라 드레인-소스 간의 전류 흐름이 조절된다. FET의 두드러진 특성