4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
8. 기상이 이상기체라 가정하고 염소 흡수장치에 들어있는 염소의 질량(kg)을 추정하라. (Hint: 슬러리 임의 질량을 basis로 하여 기준량의 슬러리가 점유하는 부피와 그속에 들어 있는 염소 질량을 계산한 뒤 문제 8에서 계산한 슬러리 실제 부피로 환산하고 기상에 존재하는 염소량을 추가한다.)
(풀이
Ⅰ. 서론
재임기간 내내 잭 웰치 신드롬이 전세계적으로 유행했고, 퇴임 후에 명성과 후광이 더욱 빛을 발한 웰치 회장은 미국기업 역사상 최고의 CEO로서 가장 큰 영향력을 행사했던 것으로 평가되었다. 20세기를 대표하는 경영자로, 전반기는 GM의 슬로언 회장, 후반기는 GE의 회장을 「월스트리트의 마
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*Separate Electric furnace and other system like Electronic scale
-Because Electric furnace temperature is very high
so we need to protect other system.
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*N
2. Experimental
The films were deposited in a conventional horizontal furnace on Si(1 1 1) substrates. SnO2 (99.99%) (Mol10:2) and ZnO/Ge slices (99.999%, purity), (Mol 10:2) powders were used as the source materials for growth of the Sn- and Ge-doped ZnO films, respectively. The ZnO/SnO2 powder was placed on an alumina boat and inserted into a horizontal tube furnace, in order to serve as th