1)정의 및 특징
“이온화한 기체”를 말한다. 우리는 이러한 상태를 고체, 액체 ,기체도 아닌 “물질의 제 4상태”라고 말하기도 한다. 플라즈마는 우리가 생각하는 고체보다고 높은 밀도로 압축할 수 있고 기체 상태와 같이 낮은 압력에서도 존재한다.
기체 입자에 에너지가 가해지면 (일반적으로 가
ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의 유
[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
Tungsten filament was
heated to generate electron.
Revolving 270, the electrons
are directed by
electromagnetic field
resulting collision onto the
source surface
After heated to certain
degree, source gas was
generated
The sensor monitors the
thickness of deposited film.
High vacuum should be kept in
the chamber not to contain
oxigen
gas which damages
substrat
2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의