3. a-IGZO기반
Oxide
TFT문제점
채널층에서 발생하는 문제
① 대기 중 산소나 수분과
금속의 자유전자가 반응
=> 자유전자 감소
② 빛에 의해 정공이 생성 됨
=> 정공 증가
↓
전기특성 신뢰도 감소
Transistor Switching 원리
채널이 형성되어
Source와 Drain간에
전류가 흐르기
What is TFT?
TFT( Thin Film Transistor 박막 트랜지스터 )
최신 신재료 TFT를 소개하기전에 기존의 TFT를 간단히 소개하자면
Tin File Transistor 박막트랜지스터라고 합니다. 능동 매트릭스형 액정의 하나로 액정 표시장치 (LCD)의 픽셀을 박막 트랜지스터(TFT)로 제어합니다 기존 브라운관 (CRT)에 비해 화면의 흐트러
Patterning : Photo Lithography
(Clear than Shadow Mask)
PHOTO LITHOGRAPHY
PROCEDURE:
1. Coat the PR
2. Expose to UV light
through the Mask
3. Immerse the plate
in the “Developer”
5. Coat metal
6. “Lift-off” in acetone
Pressure : 6.4 X 10-5 torr
Deposition : 1.2nm
Why we use E-beam Evaporator?
- Good growth rate and step coverage
IGZO를 채널로 만든 트랜지스터의 이동도가 30~50cm2/Vs 정도의 범위에서 동작되고 있는 것으로 알려져 있으며, 그래핀 혹은 IGZO와 같은 전도성 산화물 반도체를 도입한 2 차원 구조의 채널물질이 개발되고 있다. 현재까지 비정질 IGZOTFT를 AMOLED 에 적용하기 위해서 채널의 공정 및 소자의 안정성을 제어하는
1. 도쿄일렉트론코리아에 지원하게 된 계기와 지원하신 직무에 대한 생각을 기술해주시기 바랍니다./ 현시대는 AI를 중심으로 발전했고 반도체의 혁신을 통해 오롯이 이루어졌습니다. 학부연구생 당시 IGZOTFT 소자의 불안정성을 연구하여 해외 ESCI급 논문을 게재했습니다. 정확하고 신속한 소자 성능을