네이O
첨단의 신기술과 아이디어를 개발하여 사업에 도전하는 기술집약형 중소기업.
Cooper
연구개발을 강조하거나 기술적으로 새로운 지식을 이용하는데 중점을 둔 회사.
이장우
기술집약적 신생 중소기업.
2005. 11. 제이씨텍(주) 설립 ( 자본금 495백만원)
2006. 03. 자본증자(505백만원->자본금 1,00
InP from the solution-phase organometallic reaction 1a conducted at low temperatures. Our elucidation of the chemical pathway revealed unexpected factors responsible for InP formation and crystallization, prompting discovery of the solution-liquid-solid (SLS) crystal-growth mechanism.4 The resulting insights enabled solution-phase synthesis of the crystalline III-V (13-15) compounds InP, InAs, an
1. 서론
⑴ HEMT의 의미와 특징 반도체 소자 공학 서정하・김동명・박재우・신장규・이희덕 공역
알기쉬운 반도체 공정 박욱동・박광순 공역
<InP 기반-HEMT>
HEMT란 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transister)를 의미한다. 이 소자는 변
InP가 개발되어 있다. 그런데, Si은 비직접천이형이며 광흡수계수가 직접천이형에 비해 상대적으로 작아서 광자를 효과적으로 흡수할 수가 없으며 광자의 효과적인 흡수를 위해서는 직접천이형[7] 반도체에 비하여 보다 넓은 폭의 공간전하영역이 필요하다. 또한 운반자의 라이프 타임을 길게 하여 생성