Flip Chip 공정이란 쉽게 말해서 반도체 칩을 제조하는 과정에서 웨이퍼의 Etching, Sputtering 등의 공정이 끝나면 테스트를 거치고 최종적으로 Packaging을 하게 된다. Packaging 이란 Outer lead(기판과 칩을 전기적으로 연결하는 외부단자)가 형성된 기판에 칩이 실장하고 플라스틱 몰딩을 하는 것을 말한다. 이 Outer
2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의
1) Cathode dark space, Anode dark space
cathode 및 anode 주변의 어두운 경계지역
2) Cathode layer, Anode layer
이온의 전극에서의 neutralization 으로 photon 방출 지역
3) Negative glow
가스의 ionization 및 excitation 이 가장 많이 밝은 지역
4) Faraday dark space
가스 이온화와 감소 지역, 약간 어두운 지역
5) Positive column
Wetetching
SiO2
N-type
Si
N-type
SiO2
⦁SiO2 that does not have PR is removed by wetetching and also remaining PR is removed by acetone.
Source Drain Opening
○ SiO2 Deposition ( 100nm ) ○ PR(positive) Coating
SiO2
SiO2
N-type
Si
N-type
SiO2
⇒
PR
SiO2
SiO2
N-type
Si
N-type
Si
Etching은 방식에 따라 크게 wetetching과 dry etching로 구분한다. wetetching는 금속 등과 반응하여 부식시키는 산 계열의 화학약품을 이용하여 PR pattern이 없는 부분을 녹여 내는 것을 말하고 dry etching는 ion을 가속시켜 노출부위의 물질을 떼어냄으로써 pattern을 형성하는 것을 말한다.
최근에는 주로 dry etching