LC Liquid Crystal
LCD Liquid Crystal Display
TFT Thin Film Transistor
ITO Indium Tin Oxide
CRT Cathode Ray Tube
LED Light Emitting Diode
Indium tin oxide
Tin doped Indium oxide
In2O3 90% + SnO2 10%
Used as transparent dielectrics in TFT layer.
LCD have only one strong point in low price.
If TFT LCD using CNT is developed, strong point in low price may last longer.
In2O3에 Sn을 10% 정도 포함한 n-type 반도체 재료로서 다른 투명 박막에 비하여 Sn의 첨가로 인한 매우 낮은 전기저항과 안정성 때문에 사용되어 지고 있다. 비저항이 1 × 10-3Ώ/cm이하, 면 저항이 103Ώ/sq 이하로 전기전도성이 우수하다. 그리고 ITO가 도포된 유리기판상의 각 화소를 포토리소그래피 공정
In2O3:
Sn)를 사용.
나. Working electrode : 염료로부터 생성되어진 전자의 이동경로를 제공, 염료가 흡착할 수 있는 자리를 제공. 다공성의 나노 입자이어야 함. 주로 TiO2, ZnO가 사용됨.
다. Dye : 전자가 여기되는 물질로 가시광선의 빛을 흡수. TiO2와 전해질의 계면에 노출되므로 화학적으로 안정하며 주로 N71
In2O3), 큰 밴드갭을 갖는 물질, 고분자, 산화마그네슘, 그리고 barium strontium oxide를 코팅하여 CNT의 특성을 제어하려는 시도가 있었다. 하지만 소자의 수명, 장시간 안정적인 전자 방출, 그리고 전자 방출 밀도에
대한 논의가 많이 이루어지지 않았다. 이는 joule heaating과 CNT와 기판 사이의 기계적인 결함에
The ZnO:Al films were deposited onto glass substrates.
A ceramic ZnO:Al2O3 (2 wt.%) target was used.
the chamber was evacuated to a background pressure of 5 *10-4 Pa
The working pressure during the film deposition was in the range from 0.3 Pa to 1.0 Pa by applying pure Ar gas.
The discharge power was between 100 and 200 W.
As the increasing of the thickness of the deposited film,