[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
그림 1을 보면 알 수 있듯이 SrTiO3는 ABO3의 Perovskite 구조로써 단위결정의 각 모서리에 Sr 이온이 위치하고, 각 면심에 산소 이온, 중심에 Ti 이온이 있는 구조이다. Perovskite 구조를 갖는 금속산화물은 전기를 통하지 않는 절연체 성질로부터 반도체 성질 및 전기를 통하는 금속의 성질뿐만 아니라 초전도 현
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
laserablation 방법으로 ITO 나노 와이어를 성장 시킨다. 이는 기존의 금속 촉매를 이용한 VLS 기법과는 다른 기법인데 이 기법을 이용하여 500도 이하의 낮은 온도에서 ITO 나노 와이어의 성장이 가능 하였다. 이는 active area 증가를 뜻하기도 하는데 VLS가 필요한 고온에서 유리 기판의 손상이나 변형으로 인해
1. CNT의 제조방법을 비교하시오.
Arc-charge의 경우 graphite와 전기에너지를 이용해서 CNT를 만들고 금속 catalyst를 이용해서 SWCNT도 생산가능하다.
LaserAblation의 경우 graphite와 laser를 이용해서 CNT를 만들고 SWCNT만 생산한다.
CVD의 경우 gas화 된 hybrid carbon을 통해 CNT를 만들고 MWCNT만 생산가능.
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