To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latentheat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm
Ⅳ. 전력공학의 공식
1. 물의 위치수두
1) 정의
수두를 헤드라고도 한다. 단위는 길이의 차원이나 위치 에너지를 구하는 기본이 되는 값이며, h는 수면의 높이이다. 즉, 단위 무게 [kg]당의 물이 갖는 에너지를 말한다.
2) 공식
위치 수두 = H [m]
2. 물의 압력수두
1) 정의
수관 속의 유수의 압력은 유
1. 요 약
◉ 화학 공장에서 사용되고 있는 재비기를 컴퓨터를 이용하여 설계하는 방법을 알고 이를 통해 현재 사용되고 있는 재비기의 특성과 종류, 재비기에 대한 이론에 관하여 알아 본다.
◉ 우선 재비기(Reboiler)에 대해서 알아 본다. 재비기라는 것은 스팀을 이용하여 증류탑의 바닥에서 유입
Q = (360gmol/s)X(0.040kJ/gmol·s)X(1400°C−900°C)
= 7200kJ/s
Heat exchanger cool that gas to 25℃, and it condense water.
Q1=(9.5gmol/s)(29.1kJ/gmol)+(9.5gmol/s)(24.1kJ/gmol)
+(90.5gmol/s)(-22.9kJ/gmol)
+ (20.5gmol/s)(-37.4kJ/gmol)
= - 3344kJ/s
Q2(latentheat of water) =(9.5gmol/s)(-40kJ/gmol)
= - 380kJ/s
Q1+Q2 = - 3704kJ/s
The heat removal rate in t
heated and condensed liquid is subcooled.
Subcooled means that the refrigerant temperature is below its boiling point, or bubble point temperature
Due to friction in piping of the refrigerant as it enters the receiver
The Refrigerant liquid partially flashes to a vapor as it flows through the letdown valve.
the Conversion of the sensible heat of the refrigerant to latentheat of va