근래에 고도의 신뢰도를 갖는 체계나 부품을 만들어야 할 중요성이 점차로 증대하고 있다. 경제적인 관점에서 보면 고도의 신뢰도는 총 비용을 줄이기 위해 필수적이다. 따라서 어떠한 시스템에서 그 시스템의 신뢰도를 높이기 위한 노력은 당연하며 가장 많이 이용되는 방법이 부품을 중복으로 설계
격자모델의 모형 A: 작은 분자들의 혼합, B: 고분자 용액, C: 고분자 혼합물
통계 열역학 혼합 이론은 Boltzmann 관계식으로부터 출발한다.
(1-2)
여기서,
Ω = 분자들의 배열 가능한 경우의 수 k = Boltzmann 상수
즉, 은 개의 분자가 존재하는 계에서 개의 분자가
1. 실험목적 (Purpose)
MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.
2. 실험변수 (Variables)
산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하
P u r p o s e
To understand XRD and analysis JCPDS card, we analyzed and studied the figure of XRD and did research and discuss background knowledge. Also we expect that we can find important information of XRD by doing experiment
Process of experiment
XRD is equipment that use characteristic X-rays. Through characteristic X-rays diffraction peak of material, we can examine closely unk
격자내에 dipole(쌍극자)가 생기게 되어 전하를 띄게 되는 구조이다. 이러한 재료는 다른 재료에 비해 재료에 축적할 수 있는 전하량이 많아 정보저장의 재료로 활용될 수 있다.
SrTiO3와 격자배열이 비슷하기 때문에 본 실험에서는 LaAlO3(100) 단결정을 기판으로 사용한 SrTiO3/LaAlO3 박막을 XRD 분석한다.