MOS-capacitor on p- and n-type Si
The C-V data depends on the measurement frequency as well.
[Figure 11] Measured C-V characteristics on an P-type, N-type Si
2.4 Graph shifting
In MOS structure, we should consider non ideal effects when measure the capacitance according to applied voltage. They are 'fixed charge', 'mobile charge', and 'surface states'. When the fixed charge exists in
3.1.1. 이상적인 MOSCapacitor
실제로 MOSCapacitor가 받는 표면효과는 매우 복잡하다. 이상적인 MOSCapacitor는 이런 표면효과를 무시한 것이다. 이런 MOSCapacitor는 변형된 일함수 을 사용하는 것이 편리하다. 일함수 이란 금속의 페르미 준위부터 산화물의 전도 대역까지의 크기를 말한다. 이 때 페르미 준위
1. 실험목적
MOScapacitor를 직접 제작하며 그 작동 원리를 이해한다. 또한 산화층(SiO2)의 두께(100nm, 200nm, 300nm)와 금속게이트(Au, Ti)를 변수로 하여 이들의 차이에 의한 C-V, I-V 그래프를 분석한 후 이를 바탕으로 산화층의 두께 및 금속게이트의 종류가 MOScapacitor에 미치는 영향을 분석한다.
2. 실험배경
1. 실험목적
MOScapacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, Metal층과 Oxide층, 공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험이론
① MOSCapacitor
(a) MOSCapacitor의 구조
MOScapacitor의 구조
MOS를 이용한 capacitor 즉 MOScapacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOScapacitor 이다.
3. 실험이론
그림 3.1.2 Capacitor
그림 3.1.1 MOS