2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비
MRAM : (Magnetic Random Access Memory)
자성체(磁性體)소자를 이용한 비휘발성 고체 메모리로써 마그네틱램(Magnetic RAM) 또는 자기(磁氣)메모리라고도 한다. 자료 처리 속도가 빠를 뿐 아니라 소자의 집적도가 높고 소비전력이 적은 DRAM과 전원이 꺼져도 자료가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점을 함께 가
MRAM : (Magnetic Random Access Memory)
자성체(磁性體)소자를 이용한 비휘발성 고체 메모리로써 마그네틱램(Magnetic RAM) 또는 자기(磁氣)메모리라고도 한다. 자료 처리 속도가 빠를 뿐 아니라 소자의 집적도가 높고 소비전력이 적은 DRAM과 전원이 꺼져도 자료가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점을 함께 가
MRAM : (Magnetic Random Access Memory)
자성체(磁性體)소자를 이용한 비휘발성 고체 메모리로써 마그네틱램(Magnetic RAM) 또는 자기(磁氣)메모리라고도 한다. 자료 처리 속도가 빠를 뿐 아니라 소자의 집적도가 높고 소비전력이 적은 DRAM과 전원이 꺼져도 자료가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점을 함께 가
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업