The GZO, MZO thin films were prepared on ZnO pre-sputtered glass substrate using RF Sputtering Technique. Morphological, Structural and Electrical properties of deposited films were investigated in comparison with pure ZnO Thin film by scanning electronic microscopy (SEM), Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), PL spectra and other electrical analytic method. SEM images showed al
1.2. 재료가 사용된 이유
투명 전도막(TCO : Transparent Conductive Oxide)이란, 가시광 영역에서 광 투과율이 우수해야 하고, 높은 전기전도도와 적절한 에칭 특성을 지녀야 한다. ITO는 가시광선 영역 (400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 투과도를 가지며 optical band gap이 3.55eV를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은
에너지를 전달해줌으로써 target원자들이 방출되는 현상이다.
* target (음극, 캐소드) : 모든 종류의 스퍼터링에서 박막이 만들어지는 덩어리
In this paper discuss luminescence properties for multilayer structures of ZnO nanocrystals embedded in SiO2, which were produced by magnetron sputtering.
* Use TEM & PL
ZnO박막의 낮은 전기적 특성을 향상시키기 위해선 도핑이 필요 대부분 3족 원소로 도핑(B, Al, Ga, In)
대부분의 논문의 경우 Al도핑한 ZnO(AZO)에 관련되어있다 단점 : 성장과정에 있어서 높은 산소 반응성
대안 : Ga 도핑 ZnO (GZO)
특징 : AZO박막과 유사한 Zn2+ 이온반경
높은 Ga도핑 농도에서 ZnO 격자구조
Ⅰ. 서 론
1. 실험 목적
현재 magnetron sputter는 반도체, LCD 등을 포함하는 microelectronics 산업에서 박막 형성을 위한 주요 장비로 널리 쓰이고 있으며, 소자의 고집적화 및 대형화 추세에 따라 그 이용가치는 더욱 증대되고 있다. 본 연구에서는 TFT-LCD용 color filter제조시 ITO 박막 형성을 위해 사용하는 m