capacitor 이다.
3. 실험이론
그림 3.1.2 Capacitor
그림 3.1.1 MOS capacitor
3-1 Metal Oxide Semiconductor(MOS) Capacitor
MOS란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다.
Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성
Capacitor
그림 1.1 Capacitor
그림 1.2 MOS capacitorCapacitor(축전기)란 전기회로에서 전기용량을 지녀 전하를 축적시키는 소자를 지칭한다. MOS Capacitor란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다. Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로
1. 실험목적 (Purpose)
MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.
2. 실험변수 (Variables)
산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하
metal-insulator-semiconductor) 트랜지스터 또는 절연 게이트(insulated gate)형 트랜지스터라 한다. 절연층으로서 산화막()이 쓰이는 경우가 많으므로 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터라고 한다.
<그림 1> MOSFET
게이트에 전압을 인가하지 않을 때 반도체 표면은 p형으로 있으므로, 소스와 드레인 사이에 n+p n+구