1. IMPATT Diode의 정의.
IMPATT Diode는 IMPact ionization Avalanche Transit Time Diode의 줄임말로, 주로 높은 주파수를 사용하는 전기제품이나 마이크로파를 사용하는 장치 등에서 쓰이는 높은 출력을 낼 수 있는 다이오드이다. IMPATT Diode는 breakdown field가 높은 silicon carbide로 만들어지는 것이 보통이다. 주로 3~100GHz정
1.1.1. 21세기 중점 연구과제로서의 나노기술
20세기말 연구개발의 화두가 IT(Information Technology), BT(Bio Technology)이었다면, 21세기에는 NT(Nano Technology)가 그 자리를 차지하고 있다. 나노기술은 지난 2000년 미국 클린터 전 대통령 연두교서에서 21세기 국가 3대 중점 연구과제로 IT, BT에 이어 NT를 거론됨으로써