Ⅰ. MOS의 원리
우선 구조는 한 쪽에 절연층을 가진 반도체를 두 개의 전극 사이에 끼운 모양이다. 여기서 금속 전극은 게이트로 부르고, 산화막은 SiO2로 절연체이다. 그리고 반도체는 n형 또는 p형 반도체로 이미지 센서에서는 p형을 사용한다. 위의 구조는 전극 사이에 SiO2가 낀 커패시터로 간주할 수 있
1. 본인의 회사 선택 기준은 무엇이며, 그러한 기준이 현대중공업MOS의 어떤 측면에 부합하는지 서술하시오. (4000byte 이내)
도전하고 변화하며 혁신의 자세를 잃지 않고 지속적인 성장을 추구하는 회사를 선택합니다. 저에게 혁신은 가장 큰 원동력이자 발전하는...(이하생략)
2. 본인의 지원 직무에
1. 실험목적
MOS capacitor를 직접 제작하며 그 작동 원리를 이해한다. 또한 산화층(SiO2)의 두께(100nm, 200nm, 300nm)와 금속게이트(Au, Ti)를 변수로 하여 이들의 차이에 의한 C-V, I-V 그래프를 분석한 후 이를 바탕으로 산화층의 두께 및 금속게이트의 종류가 MOS capacitor에 미치는 영향을 분석한다.
2. 실험배경
MOS를 이용한 capacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacitor 이다.
3. 실험이론
그림 3.1.2 Capacitor
그림 3.1.1 MOS
1. 실험목적
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, Metal층과 Oxide층, 공정과정의 종류를 변수로 놓고, 각 device별로 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 Capacitance와 Current에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험이론
① MOS Capacitor
(a) MOS Capacitor의 구조
MOS capacitor의 구조