Light Emitting Diode (발광 다이오드)란 다수 캐리어가 전자인
n-type 반도체 결정과, 다수 캐리어가 정공인 p-type 반도체 결정이
서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 화합물
반도체의 특성을 이용해 전기신호를 원하는 파장 대역을(적외선-
가시광선-자외선) 갖는 빛으로 변환시켜 신호
4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
3. Experiment Method
A measurement method of sample of powder form is an x-ray diffractometor(Fig. 9).
Fig. 9. An x-ray diffractometer.
3.1. Making of Sample Powder
A Sample is made a powder form. A diameter of powder has good reproducibility as smaller. But generally 10~35μm is a suitable size of sample. We must caution a deterioration by air, gas, humidity and pouri
are many III-V and II-VI compound semiconductors with high bandgaps. The only high bandgap materials in…
group IV are diamond and silicon carbide (SiC).
Aluminium nitride (AlN) can be used to fabricate ultraviolet LEDs with wavelengths down to 200-250 nm.
Gallium nitride (GaN) is used to make blue LEDs and lasers.
Boron nitride (BN) is used in Cubic boron nitride.
3) CERMET
4) cBN (입방정 질화붕소)
1500℃에서 8GPa의 고온 고압을 유지할 수 있는 장비를 사용하여 boron nitride를 육각형 구조에서 diamond에 근사한 구조로 변형시키고, 결합제인 메탈과 boron nitride를 충분히 혼합하여 고온 고압 하에서 필요한 형태로 소결한 것.
다이아몬드 다음의 경도와 열 전도