oxide의 불안정한 상태 때문에 Ge보다는 Si 사용한 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이 반도체산업의 중심에 서있다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 capacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스
Characteristic of MOGS
1. Metal oxides possess electronic, chemical, and physical properties of high sensitivity to changes in their chemical environment.
2. The sensing properties of semiconductor metal oxide assures improved selectivity and stability
3. Their peculiar characteristics and size effects make them interesting for metal oxide gas sensors
The reason we take Nox as targe
Lithography
Si Wafer coated with PR
Spin coating
PR is coated evenly by turning round rapidly.
Exposure
Align the Mask exactly and emit UV.(fixed 10sec)
Observation
See the completed sample through SEM
Development
∙ Dip the sample in the alkaline solution.
→(process parameter : 10sec 60sec 180sec)
∙ Due to differences in solubility of the exposed portion to be dissolv
3. a-IGZO기반
Oxide
TFT문제점
채널층에서 발생하는 문제
① 대기 중 산소나 수분과
금속의 자유전자가 반응
=> 자유전자 감소
② 빛에 의해 정공이 생성 됨
=> 정공 증가
↓
전기특성 신뢰도 감소
Transistor Switching 원리
채널이 형성되어
Source와 Drain간에
전류가 흐르기