2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비
열적 동작 특성
전기적 동작 특성에서 설명한 과정에 따라 저 전도에서 고전도 영역으로 스위칭된 상변화 메모리 소자가 비정질 상태에서 결정질 상태 또는 그 반대로 변화 하는 것을 정밀하게 묘사하기 위해서는 heat equation에 의한 열 해석과 이때 수반되는 결정화 거동의 이해를 위한 Johnson-Meh
열적 동작 특성
전기적 동작 특성에서 설명한 과정에 따라 저 전도에서 고전도 영역으로 스위칭된 상변화 메모리 소자가 비정질 상태에서 결정질 상태 또는 그 반대로 변화 하는 것을 정밀하게 묘사하기 위해서는 heat equation에 의한 열 해석과 이때 수반되는 결정화 거동의 이해를 위한 Johnson-Meh
가-2. DIMM
현재 인텔 펜티엄이나 모토로라의 파워PC 등과 같은 프로세서에서 64비트 데이터 버스에 알맞게 사용하기 위해서는 72핀 SIMM을 쌍으로 인스톨해야 하며, 이로 인해 모듈이 차지하는 크기가 커졌다. 그러나 소수의 컴퓨터만이 대용량 메모리 모듈을 지원할 수 있었기 때문에 물리적인 크기의 변
PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floating Gate Memory), ReRAM(Resistance RAM), PoRAM(Poly mer RAM) 등이 있으며, 그 이외에도 MRAM, FeRAM, 스핀트로닉스 소자등도 많은 연구가 진행 중이다. 이들 소자는 기존의 플래시 메모리에 비해 저전력 소모, 장기간 데이터를 유지할 수 있는 비휘발성이 월등히 뛰어나고, 쓰기/읽기 동작