PE CVD
PE CVD공정은 Plasma etching 이 사용되기 이전부터 반도체 금속배선의 보호막인 SiN과 SiO2를 저온에서 증착할 수 있는 새로운 생성원으로 소개
PE CVD기술은 SiO2와 SiN 박막 형성 뿐만 아니라 최근에는 천이금속이나 천이금속 실리사이드 형성에도 널리 사용
PE CVD의 박막 형성 mechanism
Plasma 에서 이
- 가장 보편화된 나노기술현재 인간이 가지고 있는 보편화된 기술 중 가장 미세한 구조물을 만들어내는 방법이 있다면 그것은 포토리소그래피일 것이다.포토리소그래피는 실제 전자집적회로> 제작에 사용되는 기술로써 그 원리는 다음과 같다.크롬층과 유리기판의 맨 위에 놓인 감광고분자 막 위에 레
반도체 공정에서의 박막증착공정의 중요성과 박막의 조건
반도체 공업은 현재의 전자 및 정보화 사회를 주도하고 있는 공업으로서 1960년대 집적회로(Integrated Circuit)가 개발된 이래 계속적으로 비약적인 성장을 거듭하면서 과거의 산업혁명에 버금가는 전자혁명시대를 이끌고 있다. 반도체 공업은 1
deposition
Good economy and process control
A great variety of chemical compositions
High step coverage
Selective deposition
AdvantageS of CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- High Purity Thin Film
- influenced by various factors
Metal-Organic CVD(MOCVD)
- Metal-Organic compound
- High reproducibility
- Low-Temperatu
Chemical Deposition
유체(액체, 기체) precursor(씌우고자 하는 층이 될 잠재 물질)는 고체 표면에서 화학적 변화를 일으켜, 고체 층을 만든다. 유체가 고체 표면을 둘러싸기 때문에 방향에 관계없이 증착은 모든 표면에서 일어난다. 따라서 chemical deposition 기술에 의한 박막은 표면 전체에 걸쳐 두께가 동일하다