. Gate에 전압()을 가해주어도 페르미 에너지 준위()는 변하지 않고 일정하며, >0이면 금속의 는 내려가며 <0이면 금속의 는 올라간다. 따라서 반도체 쪽의 에너지 밴드는 전압에 따라 휘어지게 되며 oxide에서는 charge center가 없으므로 electric field가 일정하다. 그 결과 band가 일정한 기울기로 휘어지게 된다.
qV만큼 증가한다. 반도체는 금속에 음의 전하가 축적되는 것과 반대로 반도체-산화물 계면에서 정공축적상태가 되는데, 이를 수용하도록 반도체의 에너지대역은 계면부근에서 휘어진다. 반도체 내의 페르미 준위는 전류의 흐름이 없으므로 일정하고 과 또한 전압에 따라 변하는 것이 아니므로 산화물
1. 실험목적 (Purpose)
MOSFET Structure을 가진 MOS Capacitor를 제작하여 그 제작 공정 과정을 알고 MOS Capacitor의 구동 원리를 이해하며 Oxide층(SiO₂) 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프 변화를 분석해본다.
2. 실험변수 (Variables)
산화층 두께에 따른 MOS Capacitor의 C-V 및 I-V 그래프의 변화를 보기위하