contact resistance.
Structure of GaN based LED : ‘Top emission’ and ‘Vertical’ structures
Since achieving heavily doped p-GaN is difficult, it is hard for p-GaN in top emission LED to spread the current from the p-electrode, which results in low intensity of LED.
Therefore, transparent ohmiccontact to p-GaN with low resistance is essential for
achieving GaN-based LED with bet
band of the two semiconductors determines a charge transfer,
creating a triangular potential.
3. Polarization
- AlGaN/GaN HEMTs transistor don’t need doping to obtain a high electron density.
4. Contacts
- Source / Drain : Ohmiccontact, Carrier could move free Metal ↔ Semiconductor.
- Gate : Schottky contact, controlled transistor to turn on / off.
5. Summary
2.3. Back contact
후면전극 물질로는 Sputtering법으로 증착된 Mo이 가장 광범위하게 사용된다. 이는 Mo이 가진 높은 전기전도도, CIGS와의 ohmiccontact, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다. Mo 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야 하고 또한 열팽창계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록
2.2. Ni/Cu/Ag 전극 형성
- Electroless Ni plating & sintering
먼저 산화막을 mask로 사용하는 pattern위에 Ni film을 형성하기 위해 무전해 Ni 도금법을 사용하였다. Ni 무전해 도금법은 실리콘 기판 위에 Ohmiccontact을 만들기 위한 저가의 방법으로 차아인산나트륨을 환원제로 사용하는 화학환원도금법이다.
화학반