[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
2. 본 논문에서 소결된 질화규소의 상온강도와 파괴인성을 어떤 방법으로
측정하였는가 ?
상온강도는 시편을 다이아몬든 휠로 60번부터 800번까지 순서대로 연마하야 3점 꺽임법으로 구했다. 이때 시편크기는 ASTMC 1161규격에 맞추어 시편크기 2X1.5X25mm, 스팬(span)길이 20mm가 되도록 하였으며, 4개의
장 점
Ta는 밀도가 낮고 융점이 높으며 고온강도가 우수하여 초내열합금을 대체할 수 있는 차세대 초고온
구조재로 적합함.
단 점
Ta는 고온 내산화성이 취약하므로 고온 구조재로 사용불가능함.
고온 내산화성 개선법
합금원소를 첨가하면 고온기계적특성이 저하되므로 고온 내산화성이 우수
Si3N4 film 200nm를 증착하였으며, active layer인 ZnO는 RF magnetron sputter 장치를 표 1과 같은 조건으로 진행되었다.
ZnO layer의 passivation을 위해 PE-CVD 장치를 이용하여 150℃에서 oxide 50nm를 증착하였으며, 이 후 층간 절연을 위해 역시 150℃에서 PE-CVD로 oxide 300nm를 증착하였다. Source/drain pad의 형성은 RF magne