위의 <그림 1> Li2O-Al2O3-SiO2 의 상태도를 나타낸 것이고 <그림 2>는 SiO2 함량에 따른 Li2O-Al2O3-SiO2 (Eucryptite)-SiO2 의 상태도를 나타낸 것이다. 이 상태도를 바탕으로 Li2O-Al2O3-SiO2 에서는 α,β-Spodumene (Li2O-Al2O3-4SiO2), α,β-Eucryptite(Li2O-Al2O3-3SiO2), Petalite(Li2O-Al2O3-8SiO2) 와 같은 crystal 생성됨을 알 수 있다.
1. 두께에 따른 의 I-V graph
<그림8> 두께에 따른 의 그래프
측정구간 : -10V ~ 10V, 변수: 두께 100nm, 200nm, 300nm
I-V 그래프에서는 면적당 전류를 측정 할 수 있는데, 이것을 누설 전류 (leakage current)라고 한다. 이 누설전류는 산화층의 두께에 따라 다르다. 산화막의 두께가 얇아짐에 따라 누설전류가 증
● TiO₂실험에서도 시료를 정량할 적에 지난 조의 도움을 받아서 넣어야 하는 양을 미리 알아낸 다음에 바로 실험을 시작할 수가 있었다. 이번 실험에서 중요했던 점은 H₂O 9ml를 넣을 때였다. 우리가 조사해본 결과에 따르면 H₂O 9ml를 정량할 적에 2분정도에 걸쳐서 넣어야 한다고 알고 있었다. 그런데
The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O