위의 <그림 1> Li2O-Al2O3-SiO2 의 상태도를 나타낸 것이고 <그림 2>는 SiO2 함량에 따른 Li2O-Al2O3-SiO2 (Eucryptite)-SiO2 의 상태도를 나타낸 것이다. 이 상태도를 바탕으로 Li2O-Al2O3-SiO2 에서는 α,β-Spodumene (Li2O-Al2O3-4SiO2), α,β-Eucryptite(Li2O-Al2O3-3SiO2), Petalite(Li2O-Al2O3-8SiO2) 와 같은 crystal 생성됨을 알 수 있다.
1. 두께에 따른 의 I-V graph
<그림8> 두께에 따른 의 그래프
측정구간 : -10V ~ 10V, 변수: 두께 100nm, 200nm, 300nm
I-V 그래프에서는 면적당 전류를 측정 할 수 있는데, 이것을 누설 전류 (leakage current)라고 한다. 이 누설전류는 산화층의 두께에 따라 다르다. 산화막의 두께가 얇아짐에 따라 누설전류가 증
The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O
SiO2 and silicon nitride Si3N4 at low conformity.
⇒ High growth speed up to 500 nm/min is possible.
∙ Deposit at low temperature because of plasma.
∙ High vacuum and taking long time.
⇒ Increase the temperature up to 250℃ despite of low temperature.
SiO2
N-type
Si
N-type
PECVD
Deposited SiO2 by PECVD
Isolation process
○ Photolithogr