AlN의 형성은 열역학적으로 자발적인 반응
In-situ Al/AlN 복합재
알루미늄의 높은 열 전도도를 유지
열 팽창계수의 감소
비강도 증가
복합재의 제조 원가 절감
최대 50 wt% AlN이 형성되었음 R.G. Reddy et al (2007)
수 마이크로미터 크기의 AlN 입자 형성
AlN이 용탕의 상층부에 집중적으
To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latent heat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm
are many III-V and II-VI compound semiconductors with high bandgaps. The only high bandgap materials in…
group IV are diamond and siliconcarbide (SiC).
Aluminium nitride (AlN) can be used to fabricate ultraviolet LEDs with wavelengths down to 200-250 nm.
Gallium nitride (GaN) is used to make blue LEDs and lasers.
Boron nitride (BN) is used in Cubic boron nitride.
1. IMPATT Diode의 정의.
IMPATT Diode는 IMPact ionization Avalanche Transit Time Diode의 줄임말로, 주로 높은 주파수를 사용하는 전기제품이나 마이크로파를 사용하는 장치 등에서 쓰이는 높은 출력을 낼 수 있는 다이오드이다. IMPATT Diode는 breakdown field가 높은 siliconcarbide로 만들어지는 것이 보통이다. 주로 3~100GHz정