3. Monocrystal Silicon Growth
단결정 규소 봉으로 불뤼는 성장된 실리콘 단결정을 제작하기 위한 과정을 결정 성장이라고 합니다. 웨이퍼 제조에 사용된 실리콘 단결정 인곳(ingot: 금속 또는 합금을 한번 녹인 다음 주형에 흘려넣어 굳힌 것)의 성장을 위해 오늘날 가장 널리 이용되는 기술은 Czochralsik(CZ
Epitaxial wafer
웨이퍼 위에 기상성장법으로 실리콘단 결정막 증착
다양한 구조로 제작이 가능
epi 구조는 Bipolar IC의 Isolation 및 낮은 collector 저항 성능을 개선
미소결함의 발생을 억제
SOI(Silicon on insulator)
SOI wafer는 표면과 기층부 사이에 절연층을 인위적으로 형성시켜 절연체위에 형성된
Making the Wafer
The process
-A seed crystal is suspended in a molten bath of silicon
-It is slowly pulled up and grows into an ingot of silicon
-The ingot is removed and ground down to diameter
-The end is cut off, then thin silicon wafers are sawn off (sliced) and polished
Epitaxy
The growth of an ultra-pure layer of crystalline silicon
Approx 3% of wafer thickness
Contaminant-free