4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
3. Monocrystal Silicon Growth
단결정 규소 봉으로 불뤼는 성장된 실리콘 단결정을 제작하기 위한 과정을 결정 성장이라고 합니다. 웨이퍼 제조에 사용된 실리콘 단결정 인곳(ingot: 금속 또는 합금을 한번 녹인 다음 주형에 흘려넣어 굳힌 것)의 성장을 위해 오늘날 가장 널리 이용되는 기술은 Czochralsik(CZ
1. 실험목적
- 알루미늄 착물을 이용하여 질화알루미늄(AIN)분말을 합성하고, AIN이 생성되는 반응과정, 즉 반응메카니즘을 추정해 본다.
2. 이 론
▣ 질화알루미늄(AIN)
◉ 정 의 - 21세기를 뒷받침할 신소재ㆍ신재료 (겸지사)
- 순수한 질화알루미늄은 우르츠광형의 결정구조를 가지며 다형은 존재하
규소, 즉 실리콘으로 만듭니다. 실리콘은 지구상에 풍부하게 존재하고 있어 안정적으로 얻을 수 있는 재료이고, 독성이 없어 환경적으로도 우수하다는 큰 장점을 가지고 있습니다.
모래에서 추출한 실리콘은 반도체 원료로 쓰이기 위해 정제과정이 필요합니다. 그래서, 실리콘을 뜨거운 열로 녹여
서론
인간은 우주에서 혼자인가? 이것은 철학자들과 과학자들이 품어온 가장 오래된 질문이기도 하며, 그 속에는 우리의 세계관이 함축되어 있다. 최근에 이루어진 생화학과 분자생물학의 발전 덕택에 우리는 이 지구에 사는 생명체들도 믿을 수 없을 정도로 다양하고 기이한 환경에서 살 수 있다는