2. Experimental
The films were deposited in a conventional horizontal furnace on Si(1 1 1) substrates. SnO2 (99.99%) (Mol10:2) and ZnO/Ge slices (99.999%, purity), (Mol 10:2) powders were used as the source materials for growth of the Sn- and Ge-doped ZnO films, respectively. The ZnO/SnO2 powder was placed on an alumina boat and inserted into a horizontal tube furnace, in order to serve as th
SnO2:F), ITO(In2O3:
Sn)를 사용.
나. Working electrode : 염료로부터 생성되어진 전자의 이동경로를 제공, 염료가 흡착할 수 있는 자리를 제공. 다공성의 나노 입자이어야 함. 주로 TiO2, ZnO가 사용됨.
다. Dye : 전자가 여기되는 물질로 가시광선의 빛을 흡수. TiO2와 전해질의 계면에 노출되므로 화학적으로 안정하
바람을 앞유리 방향으로 가지 않게 해서 유리가 차가워 지지 않도록 함.
금속 박막 : 금속을 얇게 코팅. 단점 : 안정하지 못하고 시간에 따라 변함.
산화물 박막 : 금속 박막 단점 보완
안정성과 내마모성이 우수.
투명 전도성 산화물 종류 : ITO, ZnO, SnO2 등.
LC Liquid Crystal
LCD Liquid Crystal Display
TFT Thin Film Transistor
ITO Indium Tin Oxide
CRT Cathode Ray Tube
LED Light Emitting Diode
Indium tin oxide
Tin doped Indium oxide
In2O3 90% + SnO2 10%
Used as transparent dielectrics in TFT layer.
LCD have only one strong point in low price.
If TFT LCD using CNT is developed, strong point in low price may last longer.
Change of conductivity being
normal state and gas detecting in sno2 grain boundary
Amount of desorption and absorption of oxide and free electron
can control sensor sensitivity
Electrode and the electrolyte solution while maintaining a constant current from the direct oxidation and reduction when measuring current to detect the gas.
Cause ionization of the electrolyte solution, the