열처리
항온 변태 곡선(TTT 곡선, S 곡선, C 곡선)을 이용하여 열처리하는 것.
* 균열 방지 및 변형 감소의 효과(담금질+뜨임을 동시에)
① 오오스템퍼(Austemper) : 하부 베이나이트(B), 뜨임할 필요가 없고 강인성이 크며, 담금질 변형 및 균열방지.
② 마아템퍼(Martemper) : 베이나이트(B)와 마텐자이트(M)의
※반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정과 잉크젯 프린팅 공정의 차이와 잉크젯 프린팅 공정을 적용하였을 경우 얻어지는 장점
A. 반도체 제조공정 중 기존의 lithograph 공정
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는
열 또는 UV를 소스(source)로하여 레지스트(resist)의 유동성을 이용해서 나노 사이즈의 패턴을 전사하는 방법으로 기존의 Deep UV, EUV, X-ray를 사용한 방법보다 비용이 저렴하며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다.
2. 본론
⑴ Nano Imprint Lithography (NIL) 의 기본 원리
나노 임프린트 리소그래피는
변형에 의한 새로운 핵 생성 위치에서 일어나는 변태를 변형유기 마르텐사이트 변태(Deformation induced martensitic transformation)이라 한다.
위의 그림에서와 같이 이미 존재하고 있는 핵 생성위치에서 화학적 구동력 차이에 의한 마르텐사이트 변태는 Ms온도에서 일어난다. 그러나 Ms온도와 Ms0온도 사이에 실
Thermal- 또는 UV-NIL 두 가지로 분류할 수 있다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교, 강신일
2. Thermal-NIL(Nano Imprint Lithography)
Thermal-NIL 기술은 고온 고압의 환경에서 열에 변형이 되는 폴리머 레진에 나노 크기의 형상이 새겨진 몰드(스탬프)를 눌러서 나노 패터닝하는 기술을 말한다.