4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
:
Maximum 200°C/min
*Separate Electric furnace and other system like Electronic scale
-Because Electric furnace temperature is very high
so we need to protect other system.
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*Nitrogen or Argon in Electric furnace
-Because the inhibition of oxidization of sample
(1) 직접소각 (ThermalOxidation)
직접소각 혹은 열 소각
VOCs을 함유한 기체를 공조 시스템에서 모아 예
열하고 잘 섞어 고온에서 연소시킨 후 이산화탄소
(CO2)와 수증기(H2O)로 분해시켜 무취화 시키는
설비
고 온 산 화
VOCs + O2 ㅡㅡㅡㅡㅡ CO2 + H2O + 열
①
산화란? - 서론
식용유지나 지방질 식품(fatty acids, 즉 지방질 함량이 큰 식품)들에 있어서 산패(rancidity)라는 용어는 라틴어의 “악취가 나는” 또는 “썩은 냄새가 나는(stinking)"이란 말의 rancidus라는 말에서 유래되었으며, 식품화학에서는 일반적으로 유지나 식품 중의 지방질 성분에서 일어나는 어떤
I. Summary
우리는 가장 먼저 프로젝트를 본격적으로 수행하기에 앞서 배정받은 물질인 Ethylene Oxide의 Pure Compound로서의 기본적인 특성들과 더불어 실제로 우리가 물질을 다루는데 있어서 필요한 합성방법과 취급 안정성에 대해 조사함으로써 실제 실험 시 필요한 기본적인 정보를 취합 정리해 보았다.