UV를 소스(source)로하여 레지스트(resist)의 유동성을 이용해서 나노 사이즈의 패턴을 전사하는 방법으로 기존의 Deep UV, EUV, X-ray를 사용한 방법보다 비용이 저렴하며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다.
2. 본론
⑴ Nano Imprint Lithography (NIL) 의 기본 원리
나노 임프린트 리소그래피는 초미세 가
1) Raising Hot Melts to a New Level of Performance
최근 PSAs(pressure sensitive adhesives)에 사용되는 접착제 원료의 종류에는 3가지가 있다. ① solventborne acrylics 와 고무, ② aqueous dispersions 그리고 ③SIS/SBS block-copolymer hot melts 가 그것이다. 이중에서도 SIS/SBS hot melts는 급속한 성장률을 보이고 있다. 이처럼 SIS/SBS hot melts가
of the elastomeric stamp of mold
Density of defects in the formed pattern
Difficulty in high-resolution registration
low viscosity UVcurable acrylated poly(dimethyl siloxane) material.
multi-functional acrylate cross-linker, free radical initiator.
When UV-vis light exposed, low viscosity UV-curable materials self-polymerize forming polymer network. (It will be rigid layer.)
UV 임프린팅에서는 낮은 점성의 UVcurable organosilicon monomer 레지스터로 사용하고 UV 투과를 위해 투명한 몰드를 사용하기 때문에, 패턴 정밀도를 높이고 광학적 정렬오차 조절이 가능합니다. 단 패터닝 소재 선택에 있어 제한이 있으며, 대면적 공정시 균일한 패턴 두께를 얻는 것이 어려운 단점이 있습니
Ⅳ. Method & Structure of implementation
1) 프로젝트 세부 실험목표 : Topas™ COC로 만든 두께 0.1cm의 컵을 가정하고, 그것의 UV 투과도를 토대로 살균 가능한 컵으로서의 가능성을 살펴본다.
2) 실험방법 :
① Tg=140℃의 Topas를 이용한다. (Topas의 Tg는 첨가된 norbornene의 양에 따라 80℃에서 180℃까지 변한다.)