doped ZnO films were investigated by XRD, XPS, UV, PL
- The XRD patterns show that Zn2GeO4 phase was formed in the films and the crystallization of ZnO deteriorates
- The enhancement of UV light emission at about 380nm may be caused by excitons which were formed at the interface between Zn2GeO4 and ZnO grains.
- The PL spectrum show that some Ge2+ should replace the Zn2+ positions
ZnO박막의 낮은 전기적 특성을 향상시키기 위해선 도핑이 필요대부분 3족 원소로 도핑(B, Al, Ga, In)
대부분의 논문의 경우 Al도핑한 ZnO(AZO)에 관련되어있다단점 : 성장과정에 있어서 높은 산소 반응성
대안 : Ga 도핑 ZnO (GZO)
특징 : AZO박막과 유사한 Zn2+ 이온반경 높은 Ga도핑 농도에서 ZnO 격자구조 변
ZnO박막의 낮은 전기적 특성을 향상시키기 위해선 도핑이 필요대부분 3족 원소로 도핑(B, Al, Ga, In)
대부분의 논문의 경우 Al도핑한 ZnO(AZO)에 관련되어있다단점 : 성장과정에 있어서 높은 산소 반응성
대안 : Ga 도핑 ZnO (GZO)
특징 : AZO박막과 유사한 Zn2+ 이온반경 높은 Ga도핑 농도에서 ZnO 격자구조 변
ZnO박막의 낮은 전기적 특성을 향상시키기 위해선 도핑이 필요 대부분 3족 원소로 도핑(B, Al, Ga, In)
대부분의 논문의 경우 Al도핑한 ZnO(AZO)에 관련되어있다 단점 : 성장과정에 있어서 높은 산소 반응성
대안 : Ga 도핑 ZnO (GZO)
특징 : AZO박막과 유사한 Zn2+ 이온반경
높은 Ga도핑 농도에서 ZnO 격자구조
2. Experimental
2.1. Film preparation
Pure ZnO thin films were prepared on the glass substrate using RF magnetron sputtering system. And Mg, Ga doped (3 wt%) ZnO thin films were prepared on the ZnO pre-sputtered glass substrate using RF magnetron sputtering system. The PureZnO target was made from high purity ZnO powder (99.99 %) . The MZO/GZO targets were made from high purity ZnO powder (