1. 실험 목적
본 실험에서는 ZnO(산화아연)의 온도에 따른 결정성의 변화를 XRD를 통해 알아내는 과정에서 X선과 XRD의 정확한 개념의 이해와 XRD 관련 장비 활용 능력을 키워야 한다. 실험의 측정값을 얻은 이후에는 공부한 JCDPS 카드와 다른 이론들을 이용하여 입자의 크기를 구하고 온도에 따른 결정성
항공기 조종사용 디스플레이의 TFT 내에 활성 층으로 활용될 ZnO를 분석
1. 서론
1.1 설계 주제
항공기 조종사용 디스플레이의 TFT 내에 활성 층으로 활용될 ZnO를 분석한다.
1.2 설계목표
현재 항공기 조종사용 디스플레이로 사용되고 있는 Head-Up Display(HUD) 시스템의 대체품으로 ZnO가 활성 층으
The GZO, MZO thin films were prepared on ZnO pre-sputtered glass substrate using RF Sputtering Technique. Morphological, Structural and Electrical properties of deposited films were investigated in comparison with pure ZnO Thin film by scanning electronic microscopy (SEM), Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), PL spectra and other electrical analytic method. SEM images showed al
P형 반도체 :
-순수한 반도체 + 불순물(acceptor)
-전자의 자리가 남는 정공(hole,양공)이 생성
N형 반도체 :
-순수한 반도체 + 불순물(donor)->doping과정
-자유 전자가 존재하게 된다.
Full color display를 위해서는 청색 LED가 필요했다.
ZnO, GaN, SiC, ZnSe 을 이용해 청색 LED를 만드는 연구가 진행되었다.
→ ALD is based on the sequential use of a gas phase
chemical process. ALD film growth is self-limited and
based on surface reactions, which makes achieving
atomic scale deposition control possible.
☞ Self-limited growth
☞ Atomic scale deposition
☞ Easy way to produce
uniform, crystalline,
high quality thin films.
-결정성 평가
-FWHM (Full wi