The threshold voltage of a MOSFET is usually defined as the gate voltage where an inversion layer forms at the interface between the insulating layer (oxide) and the substrate (body) of the transistor. The purpose of the inversion layer's forming is to allow the flow of electrons through the gate-source junction. The voltage of oxide is given by
V_OX= 1/C_OX 2√(qN_A ε_Si V_0 )
SiO_2 V_O
Figure 9. Electrostatic field simulation.
(a) The electrostatic field(E.F) contour lines are plotted
(b) The absolute value of the E.F against height.
FE-SEM micrographs of electrospun fiber mats at various surface velocities:
4.3 m/s, (b) 8.6 m/s,
(c) 12.9 m/s, and (d) 17.2 m/s.
(The direction of rotating drum is downward.)
● 유기 발광 전계효과 트랜지스터(organic light-emitting transistor; OLET)
- OLET는 일반적으로 OTFT의 횡적인 전도 채널 구조를 채용하고, OLED와 동일한 전자와 정공의 재결합에 의한 발광 메커니즘을 기반으로 함으로써, 유기 전자 재료 및 소자의 기초적 연구와 기술적 적용 개발에서 모두 유용하다. 아래의 그
- 가장 보편화된 나노기술현재 인간이 가지고 있는 보편화된 기술 중 가장 미세한 구조물을 만들어내는 방법이 있다면 그것은 포토리소그래피일 것이다.포토리소그래피는 실제 전자집적회로> 제작에 사용되는 기술로써 그 원리는 다음과 같다.크롬층과 유리기판의 맨 위에 놓인 감광고분자 막 위에 레