are many III-V and II-VI compound semiconductors with high bandgaps. The only high bandgap materials in…
group IV are diamond and silicon carbide (SiC).
Aluminium nitride (AlN) can be used to fabricate ultraviolet LEDs with wavelengths down to 200-250 nm.
Gallium nitride (GaN) is used to make blue LEDs and lasers.
Boronnitride (BN) is used in Cubic boronnitride.
3) CERMET
4) cBN (입방정 질화붕소)
1500℃에서 8GPa의 고온 고압을 유지할 수 있는 장비를 사용하여 boronnitride를 육각형 구조에서 diamond에 근사한 구조로 변형시키고, 결합제인 메탈과 boronnitride를 충분히 혼합하여 고온 고압 하에서 필요한 형태로 소결한 것.
다이아몬드 다음의 경도와 열 전도
시편의 녹는점에 가까운 온도로 가열했을 때 가루가 서로 접한 면에서 접합이 이루어지거나 일부가 증착하여 서로 연결되어 한 덩어리가 된다
BN(BoronNitride) Spray로 시편의 표면을 코팅한다
흑연 통에 시편을 넣고 소결로에 넣는다
소결로를 닫고 진공상태로 만든 후 시편을 각각 850℃,95
boronnitride가 도포된 흑연 도가니에 넣어 감압장치(10-1torr)가 되어 있는 진공유도 가열로에서 1600, 1700,
1800℃의 세 가지 온도조건으로 혼합분말을 용융, 침투시켜 제조하였다. 혼합분말중 MoSi2 와 Si의 혼합비율은 Fig.2의 Mo-Si2성분계 상평형도를 근거로 하여 각 반응온도에 해당하 는 MoSi2와 Si의 혼합비율