Probe station
voltage에 따른 current와 capacitance를 측정하는데, 이 장비는 wafer에서 각 chip의 전기적 특성검사를 통하여 양/불량을 선별하는 EDS Tester system의 필수적인 구성요소로써, memory tester와 연결되어 prober를 이용하여 직접적으로 test하고자 하는 chip 또는 IC에 전압을 가하여 발생된 전기적 특성을 메모리
방법론적으로는 먼저 chamber내에 존재하던 전자들이 전기장에 의해 운동에너지를 얻어 + 전압이 걸린 쪽으로 이동을 하게 되면서 그 과정에서 주변에 있던 gas atom들과 충돌을 하게 되고, 충격을 받은 gas atom에서 다른 전자가 나오게 되면서 radical이나 양이온이 되는 것으로 간략하게 볼 수 있다. 이렇게
방법론적으로는 먼저 chamber내에 존재하던 전자들이 전기장에 의해 운동에너지를 얻어 + 전압이 걸린 쪽으로 이동을 하게 되면서 그 과정에서 주변에 있던 gas atom들과 충돌을 하게 되고, 충격을 받은 gas atom에서 다른 전자가 나오게 되면서 radical이나 양이온이 되는 것으로 간략하게 볼 수 있다. 이렇게
2.3 C-V graph
The measured MOS capacitance (called gate capacitance) varies with the applied gate voltage.
① Measurement of C-V characteristics
-Apply any DC bias, and superimpose a small (15 mV) ac signal
-Generally measured at 1 MHz (high frequency) or at variable frequencies between 1KHz to 1 MHz
-The dc bias VG is slowly varied to get quasi-continuous C-V characteristics
② C-V chara
2.3. Aperture Size
Aperture size는 Depth of Focus(초점심도)와 연관되어 있으며 size가 작아질수록 Depth of Field가 좋아져 높이가 다른 상들을 선명하게 관찰할 수 있다. Depth of Field는 렌즈나 반사거울 등에서 어떤 점 P0의 상을 P0'에 맺게 할 때 상 쪽 P0'(또는 물체 쪽 P0) 앞뒤의 선명하다고 볼 수 있는 결상(結像)의