deposition
Good economy and process control
A great variety of chemical compositions
High step coverage
Selective deposition
AdvantageS of CVD
Classification of CVD
Thermal(conventional) CVD
- Operating Temp. : 800 1200 ℃
- Mass Products
- High Purity Thin Film
- influenced by various factors
Metal-Organic CVD(MOCVD)
- Metal-Organic compound
- High reproducibility
- Low-Temperatu
PE CVD
PE CVD공정은 Plasma etching 이 사용되기 이전부터 반도체 금속배선의 보호막인 SiN과 SiO2를 저온에서 증착할 수 있는 새로운 생성원으로 소개
PE CVD기술은 SiO2와 SiN 박막 형성 뿐만 아니라 최근에는 천이금속이나 천이금속 실리사이드 형성에도 널리 사용
PE CVD의 박막 형성 mechanism
Plasma 에서 이
Chemical Deposition
유체(액체, 기체) precursor(씌우고자 하는 층이 될 잠재 물질)는 고체 표면에서 화학적 변화를 일으켜, 고체 층을 만든다. 유체가 고체 표면을 둘러싸기 때문에 방향에 관계없이 증착은 모든 표면에서 일어난다. 따라서 chemical deposition 기술에 의한 박막은 표면 전체에 걸쳐 두께가 동일하다
Ⅰ. 서 론
최근 나노기술(nanotechnology)이 21세기를 선도해 나가는 과학기술로서 전자정보통신, 의약, 소재, 제조공정, 환경 및 에너지 등의 분야에서 신기술로 부각되었다. 이런 나노과학기술에서 각광을 받고 있는 재료 중의 하나가 바로 탄소나노튜브(Carbon nanotube;CNT)이다. CNT는 하나의
탄소가 다른