9. n-type Semiconductor에서 온도에 따른 Carrier 농도 변화
매우 낮은 온도에서는 intrinsic EHP가 거의 존재하지 않는다. 온도가 증가함에 따라 도너의 전자들이 Conduct band로 옮겨지고 약 100K에서 모든 도너 원자가 이온화되는 과정이 발생한다. 이후 ni가 Nd와 비등해 질 때까지(intrinsic carrier 농도가 도너 농도와
conductor.
Electric field to pass only because the atomic distance, metal within the energy - band is not observed any change in the diagram. In conclusion, the energy barrier for electrons in metals, respectively, is independent of the semiconductor doping and applied bias.
Reverse Bias
Now we can consider the effects forward bias station. Figure 3.21a the reverse bias (meta
CAVITY
일정한 속도의 액체가 면적이 작은 부위(수축부 Vena Contracta)를 지날 때 유체의 속도(V)는 빨라지고 압력(P)은 떨어진다, 이때 액체압력이 그 액체의 증기압(Pv)보다 낮아지면 기포가 발생 Vapor 상태가 되는데 이것을 Cavity라 한다. 이 기포는 다시 압력이 상승함에 따라서 밸브Trim 이나 Body 내벽에서
size formation
↓
Thin layer is maintained
uniformly
▼ View from Above
A large number of
compact pipes
Make the
Surface area Larger
▼ View from Side
Fin
Thin and insulated panel
Fix the pipes
make cooling space with air
between the fins
Titanium
Light weight↓
High thermalconductivity↑
High strength↑
High corrosion resistance↑